VRF148A РЧ МОП-транзисторы RF MOSFET (VDMOS)
РЧ МОП-транзисторы RF MOSFET (VDMOS)
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Торговая марка | Microsemi |
Усиление | 16 dB |
Упаковка | Reel |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Тип | RF Power MOSFET |
Pd - рассеивание мощности | 115 W |
Выходная мощность | 30 W |
Рабочая частота | 175 MHz |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 170 V |
Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 40 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.6 V |