VRF3933 РЧ МОП-транзисторы RF MOSFET (VDMOS)
РЧ МОП-транзисторы RF MOSFET (VDMOS)
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Торговая марка | Microsemi |
Усиление | 28 dB |
Упаковка | Reel |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Тип | RF Power MOSFET |
Pd - рассеивание мощности | 648 W |
Выходная мощность | 350 W |
Рабочая частота | 30 MHz |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 260 V |
Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 40 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.6 V |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8 mS |