VS-GA75TS120UPBF Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 110 Amp 1200 Volt Half-Bridge
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 110 Amp 1200 Volt Half-Bridge
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | INT-A-PAK |
Торговая марка | Vishay |
Вид монтажа | Screw |
Упаковка | Bulk |
Размер фабричной упаковки | 15 |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Другие названия товара № | GA75TS120UPBF |
Конфигурация | Dual |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 110 A |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |