Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
VS-GB50YF120N Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200 Volt 50 Amp купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

VS-GB50YF120N Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200 Volt 50 Amp

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1388714

VS-GB50YF120N Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200 Volt 50 Amp

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200 Volt 50 Amp

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокECONO2 4PAK
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаScrew
УпаковкаBulk
Размер фабричной упаковки12
ПродуктIGBT Silicon Modules
Другие названия товара №GB50YF120N
КонфигурацияQuad
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1200 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C66 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V