VT6Z2T2R Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT NPN PNP 50V 0.1A 6PIN
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT NPN PNP 50V 0.1A 6PIN
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | VMT-6 |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | VT6Z2 |
Размер фабричной упаковки | 8000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Конфигурация | Dual |
Полярность транзистора | NPN, PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.1 V, - 0.15 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 350 MHz, 300 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 at - 1 mA at - 6 V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 at - 1 mA at - 6 V |