Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
VT6Z2T2R Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT NPN PNP 50V 0.1A 6PIN купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

VT6Z2T2R Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT NPN PNP 50V 0.1A 6PIN

Производитель
ROHM Semiconductor

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1388727

VT6Z2T2R Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT NPN PNP 50V 0.1A 6PIN

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT NPN PNP 50V 0.1A 6PIN

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокVMT-6
Торговая маркаROHM Semiconductor
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияVT6Z2
Размер фабричной упаковки8000
Минимальная рабочая температура- 55 C
ТехнологияSi
Pd - рассеивание мощности150 mW
КонфигурацияDual
Полярность транзистораNPN, PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.1 V, - 0.15 V
Максимальный постоянный ток коллектора200 mA
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)350 MHz, 300 MHz
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120 at - 1 mA at - 6 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.560 at - 1 mA at - 6 V