ZDT694TA Биполярные транзисторы - BJT Dual NPN Medium Power
Биполярные транзисторы - BJT Dual NPN Medium Power
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SM-8 |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | ZDT694 |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Pd - рассеивание мощности | 2.75 W |
Конфигурация | Dual |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 130 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 500 at 100 mA at 2 V, 400 at 200 mA at 2 V, 150 at 400 mA at 2 V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 500 |