ZDT749TA Биполярные транзисторы - BJT Dual PNP Medium Power
Биполярные транзисторы - BJT Dual PNP Medium Power
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SM-8 |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | ZDT749 |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Pd - рассеивание мощности | 2.75 W |
Конфигурация | Dual |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 25 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 35 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 0.23 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 160 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 at 50 mA at 2 V, 100 at 1 A at 2 V, 75 at 2 A at 2 V, 15 at 6 A at 2 V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 70 |