ZHB6792TA Биполярные транзисторы - BJT H-Bridge-70V
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1388754
Биполярные транзисторы - BJT H-Bridge-70V
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SM-8 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | ZHB67 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
| Конфигурация | Quad |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 70 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 70 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 0.5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz, 150 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 500 at 100 mA at 2 V at NPN, 400 at 500 mA at 2 V at NPN, 150 at 1 A at 2 V at NPN, 300 at 10 mA at 2 V at PNP, 250 at 500 mA at 2 V at PNP, 200 at 1 A at 2 V at PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 500 |