ZTX1147A Биполярные транзисторы - BJT PNP High Gain & Crnt
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1388765
Биполярные транзисторы - BJT PNP High Gain & Crnt
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-92 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Reel |
| Серия | ZTX1147 |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 12 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 15 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 175 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 115 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 at 10 mA at 2 V, 250 at 500 mA at 2 V, 200 at 2 A at 2 V, 170 at 4 A at 2 V, 90 at 10 A at 2 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 270 at 10 mA at 2 V |