ZTX558STZ Биполярные транзисторы - BJT PNP High Voltage
Биполярные транзисторы - BJT PNP High Voltage
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-92 |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Bulk |
Серия | ZTX558 |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 400 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 400 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 0.5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.2 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 at 1 mA at 10 V, 100 at 50 mA at 10 V, 15 at 100 mA at 10 V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 at 1 mA at 10 V |