ZXTN2005ZTA Биполярные транзисторы - BJT 25V NPN Low Sat
Биполярные транзисторы - BJT 25V NPN Low Sat
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-89 |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | ZXTN2005 |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Pd - рассеивание мощности | 2100 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
Максимальный постоянный ток коллектора | 5.5 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |