Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
ZXTN25100DGTA Биполярные транзисторы - BJT NPN 100V HIGH GAIN купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

ZXTN25100DGTA Биполярные транзисторы - BJT NPN 100V HIGH GAIN

Производитель
Diodes Incorporated

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1389238

ZXTN25100DGTA Биполярные транзисторы - BJT NPN 100V HIGH GAIN

Биполярные транзисторы - BJT NPN 100V HIGH GAIN

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSOT-223
Торговая маркаDiodes Incorporated
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияZXTN25100
Размер фабричной упаковки1000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Pd - рассеивание мощности5300 mW
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.100 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)180 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Максимальный постоянный ток коллектора3 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)175 MHz
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)300 at 10 mA at 2 V, 120 at 0.5 A at 2 V, 40 at 1 A at 2 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.300