Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
ZXTP2012A Биполярные транзисторы - BJT 60V PNP Low Sat купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

ZXTP2012A Биполярные транзисторы - BJT 60V PNP Low Sat

Производитель
Diodes Incorporated

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1389278

ZXTP2012A Биполярные транзисторы - BJT 60V PNP Low Sat

Биполярные транзисторы - BJT 60V PNP Low Sat

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокE-Line
Торговая маркаDiodes Incorporated
Вид монтажаThrough Hole
УпаковкаReel
СерияZXTN20
Размер фабричной упаковки4000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Pd - рассеивание мощности1000 mW
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораPNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.- 60 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)- 100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер- 145 mV
Максимальный постоянный ток коллектора3.5 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)120 MHz
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100 at 10 mA at 1 V, 100 at 1 A at 1 V, 65 at 4 A at 1 V, 10 at 10 A at 1 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.100 at 10 mA at 1 V