ZXTP2012A Биполярные транзисторы - BJT 60V PNP Low Sat
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1389278
Биполярные транзисторы - BJT 60V PNP Low Sat
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | E-Line |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Reel |
| Серия | ZXTN20 |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 60 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 100 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 145 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3.5 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 at 10 mA at 1 V, 100 at 1 A at 1 V, 65 at 4 A at 1 V, 10 at 10 A at 1 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 at 10 mA at 1 V |