ZXTP2013ZTA Биполярные транзисторы - BJT 100V PNP Low Sat
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1389283
Биполярные транзисторы - BJT 100V PNP Low Sat
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-89 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | ZXTP201 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 2100 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 100 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 140 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 240 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3.5 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 125 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 at 10 mA at 1 V, 100 at 1 A at 1 V, 25 at 3 A at 1 V, 15 at 4 A at 1 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 |